第0980章 铜互连和wifi（第3 / 4页）

正是诸如此类的多种技术难关，业内大多数人认为——虽然芯片中的传统铝互连，局限非常明显，但铜互连要想取而代之，却是不可能的。

别人担心高额投入之下，无法取得回报，唐焕却不会怀疑这个“从0到1”的质变过程——铜互连是必由之路、也是成功之路，于是他就再次走到了前面。

依靠着在新材料领域的创新，铜互连技术如约而至

通过对新工艺的完善，集成电路中的铜互连层，能够容纳六级。

半导体工厂包括制程在内的现有生产条件不变，通过引入铜互连技术，足以让目前最高端微处理器的运行频率，从200mHz区间，一脚迈上300mHz的台阶。

在这种情况下，半导体行业升级除了紧紧盯着制程这个外部元素的“雕刀”之外，也开始努力在“萝卜”这个内部元素上做文章。

以前，在这方面的手段也很直接粗暴，即主要是提高晶圆尺寸——自1990年代初以来，在哲儒的引领下，半导体业界纷纷引入200毫米，也就是8英吋晶圆的制造技术。

显而易见，晶圆直径的尺寸增加后，可容纳的晶体管数量也大幅度提高，但让“萝卜变粗”的品种改良过程，所遇到的瓶颈更难突破。

所以，半导体行业必须改变“粗放型”的发展模式，转而在“精致”上花功夫。

而铜互连技术的引入，相当于在局部着手，改善了萝卜的口味、提高了对雕刀刻画的承受力。

而这还属于杀鸡用了牛刀，铜互连技术至少要配合着比0.18微米制程更高级的工艺，才不会有大材小用之嫌。

唐It慷慨激昂地说道：“哲儒已经通过对磁阻和巨磁阻应用的成功研发，把1GB容量，带给了3.5英吋的普通个人电脑硬盘，让一般用户有了更宽松更自~由的本地存储空间；铜互连技术，则必定可以在新千年到来之际，让微处理器的运行频率，达到1GHz。”

“各位，Pc前面的道路还很宽广，我们要做的事情，就是不断增强它，而其成本，也会随着技术进步，自然地不断下降。”

“我在这里再做一个肯定的判断——至少在未来十年内，Pc非但不会死，还会成长得更加茁壮，而那些逆势而动的产品，只会沦落为一无是处的电子垃圾”

那些不得不捏着鼻子前来打探情报的Nc阵营“奸细”，听了首富先生最后这句话后，无不脸色一变，不安之情，难以抑制。

用专业的话来解释，因为铜的电阻率约为1.7纳欧·米，铝的电阻率约为2.8纳欧·米，铜的导电率大大高于铝，所以超大规模集成电路里采用铜互连，能够减小互连层的厚度，降低互连层间的分布电容，从而让微处理器进一步提高运行频率成为可能。

与此同时，随着集成电路的密度进一步增加，电子迁移现象变得无法忽视，而在这方面，铜也比铝有很强的优越性。盖因，铜的熔点约为1084摄氏度，铝的熔点约为660摄氏度，铜相对更不容易发生电子迁移现象。

引用更为具体的数据就是，铜的导电能力大约比铝高40%，从而使得微处理器的运行频率提高大约15%；与此同时，铜比铝更加耐用，也让集成电路不但可以做得更小，还能让可靠性提高大约100倍。

当然了，万物不可能十全十美——相比于传统的铝互连，铜互连虽然具有低电阻率、较好的抗电子迁移能力等等优点，但也同时伴随着新的问题。

比如，沟槽缺陷、气泡缺陷、金属缺失之类。